《半導體》創見推DDR4記憶體系列產品

創見資訊(2451)因應日益增加的DDR4記憶產品需求,推出一系列DDR4 2133 MHz UDIMM、RDIMM、ECC-DIMM及ECC SO-DIMM記憶體,可支援Intel新世代Xeon processor E5-2600 V3系列、Haswell-E處理器X99晶片組及微型伺服器產品

每支DDR4記憶體皆具備高頻寬資料傳輸及1.2伏特超低電壓等特性,能導入雲端運算、虛擬化與高效能運算系統,提升系統表現。

創見DDR4記憶體採用高品質DRAM顆粒,提供可靠度及穩定性。此外,創見DDR4伺服器記憶體的傳輸頻率最高可達2133MHz,每秒17GB的高頻寬表現,帶來資料傳輸效率。

創見DDR4記憶體具備1.2伏特低耗能特性,能減少記憶體控制器的電力負荷,相較於標準DDR3規格的1.5伏特電壓,節能率高達40%,行動裝置的電池壽命可因耗電量減少而延長,並達到響應環保的目標。

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